特許
J-GLOBAL ID：200903035341660959
セラミックス-金属複合回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
澤木 誠一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-188914
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026640
出願日： 1997年07月01日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 従来のセラミックス-金属複合回路基板はボイド率が大きく放熱性が悪い欠点があった。【解決手段】 本発明のセラミックス-金属複合回路基板においては、セラミックス基板の主面上に接合した金属板上の半導体搭載部分の接合界面におけるボイド率を1.5%以下で且つ直径を0.7mm以下とする。また、上記セラミックス基板として表面粗さ計で15μm/20mm以下のアルミナ基板を用いる。活性金属法では脱バインダー条件を600°C×4Hr以上、あるいは650°C×2Hr以上でボイド率を1.5%以下で且つ、直径0.7mm以下にできた。
請求項（抜粋）：
セラミックス基板とその少なくとも一方の主面上に接合された金属板とからなり、少なくとも該金属板上の半導体搭載部分の接合界面における単位面積当りのボイドの率が1.5%以下で且つ、各ボイドの直径が0.7mm以下であることを特徴とするセラミックス-金属複合回路基板。
IPC (4件)：
H01L 23/14
, C04B 37/02
, C04B 41/88
, H05K 1/02
H01L 23/14 M
, C04B 37/02 B
, C04B 41/88 M
, H05K 1/02 F
