特許
J-GLOBAL ID：200903035344629505
不揮発性メモリアレイの読み取り誤り検出のための方法、回路、及びシステム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
社本 一夫
, 小野 新次郎
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 西山 文俊
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-537554
公開番号（公開出願番号）：特表2007-510253
出願日： 2004年10月27日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
本発明は、所与のプログラム状態にプログラムされたセルを読み取る際に使用される基準電圧を決定するための方法、回路、及びシステムである。本発明の幾つかの実施形態は、NVMブロック又はアレイでセルを動作する(例えば読み取る)際に使用される動作基準セルのセットを設定するためのシステム、方法、及び回路に関する。本発明の一部として、NVMブロック又はアレイのセルの少なくとも1つのサブセットを読み取ることができ、アレイに関連する所与の状態で見つけられたセルの数は、セルの少なくとも1つのサブセットのプログラム中に取得された1つ又はそれ以上のチェックサム値と比較することができる。所与のプログラム状態或いは隣接する状態に関連した読み取り検証スレショルド基準電圧は、この比較の結果に基づいて調整することができる。
請求項（抜粋）：
NVMセルのセットで読み取り誤りを検出する方法であって、
セルの前記セットのプログラム中又はプログラム前に、前記NVMセルに関連する論理状態のセットの1つ又はそれ以上の論理状態にまで及び/又はそれより上にプログラムされるセルの数をカウントする段階と、
所与の状態で読み取られたセルの数を、プログラム中又はプログラム前に行われた前記カウント段階に基づいて前記所与の状態にあるはずのセルの数に対応する値と比較する段階と、
を含む方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C17/00 634E
, G11C17/00 641
, G11C17/00 601E
5B125CA13
, 5B125CA21
, 5B125CA28
, 5B125DE07
, 5B125DE08
, 5B125EA04
, 5B125EA10
, 5B125EG16
, 5B125EG17
, 5B125EJ08
, 5B125EJ09
, 5B125EJ10
, 5B125FA01
, 5B125FA05
