特許
J-GLOBAL ID：200903035364600228

半導体装置

発明者：
岡 保志

岡 保志 について

, 
大前 正

大前 正 について

, 
秋葉 武定

秋葉 武定 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-247609
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081181
出願日： 2007年09月25日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：
【課題】不揮発性メモリを備えた半導体装置のチップ面積を縮小する。【解決手段】基板1Sの主面に形成され、隣り合って配置されたメモリセルMC1およびメモリセルMC2を含む。基板1Sの主面には、互いに電気的に分離された活性領域L1〜L4を配置する。活性領域L1にはメモリセルMC1の容量素子Cを配置し、活性領域L4にはメモリセルMC2の容量素子Cを配置する。また、活性領域L2には、メモリセルMC1の書込み/消去用素子CWEおよびメモリセルMC2の書込み/消去用素子CWEを共に配置する。さらに、活性領域L3には、メモリセルMC1の読出し用素子QRおよびメモリセルMC2の読出し用素子QRを共に配置する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
主面およびその反対の裏面を有する半導体基板と、 前記主面に、マトリクス状に配置されたワード線およびビット線の交差する位置に配列され、データの書込み/消去用素子、データの読出し用素子、および容量素子から構成される複数の不揮発性メモリセルとを備え、 前記複数の不揮発性メモリセルには、隣り合って配置された第1不揮発性メモリセルおよび第2不揮発性メモリセルが含まれており、 前記主面には、互いに電気的に分離された第1活性領域、第2活性領域、第3活性領域および第4活性領域が配置されており、 前記第1不揮発性メモリセルの前記容量素子が、前記第1活性領域に形成されており、 前記第1不揮発性メモリセルの前記書込み/消去用素子、および前記第2不揮発性メモリセルの前記書込み/消去用素子が共に、前記第2活性領域に形成されており、 前記第1不揮発性メモリセルの前記読出し用素子、および前記第2不揮発性メモリセルの前記読出し用素子が共に、前記第3活性領域に形成されており、 前記第2不揮発性メモリセルの前記容量素子が、前記第4活性領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04
FI (6件)：
H01L27/10 434 ,  H01L27/10 461 ,  H01L29/78 371 ,  G11C17/00 611F ,  G11C17/00 623A ,  H01L27/10 481
Fターム (53件)：
5B125BA01 ,  5B125CA06 ,  5B125CA19 ,  5B125CA30 ,  5B125EA01 ,  5B125EB01 ,  5B125EJ02 ,  5B125EK02 ,  5B125FA05 ,  5B125FA07 ,  5F083EP03 ,  5F083EP13 ,  5F083EP22 ,  5F083EP33 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER15 ,  5F083ER22 ,  5F083ER30 ,  5F083GA09 ,  5F083GA15 ,  5F083GA16 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA53 ,  5F083LA21 ,  5F083LA25 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR43 ,  5F083PR46 ,  5F083PR53 ,  5F083PR56 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA28 ,  5F101BA17 ,  5F101BB06 ,  5F101BC02 ,  5F101BD07 ,  5F101BD22 ,  5F101BD27 ,  5F101BD36 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH21
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-139823   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
審査官引用 (3件)

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