特許
J-GLOBAL ID：200903035394914910
同期型半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-240022
公開番号（公開出願番号）：特開平8-106778
出願日： 1994年10月04日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 高速動作とランダム性の良好な同期型半導体記憶装置を提供する。【構成】 外部クロック信号に同期して内部クロック発生回路80で内部クロック信号を発生し、内部クロック信号に同期して内部アドレスと外部制御信号を取込み、モード設定回路83によってモードを設定し、動作判定回路84によって書込モードであることが判別されると、クロックカウンタ86で内部クロック信号を計数し、モード信号と計数出力とに基づいて、1ビットごとにデータをメモリセルに書込むかあるいは数ビット単位でデータを書込むかのモード切換信号を発生する。
請求項（抜粋）：
外部クロック信号に同期して外部制御信号とアドレス信号とデータとを含む外部信号を取込み、取込まれたアドレス信号によってメモリセルのアドレスを指定し、取込まれたデータをメモリセルに書込む同期型半導体記憶装置において、前記外部クロック信号に同期して取込まれた外部制御信号とアドレス信号とに基づいて、1ビットごとにデータの書込を行なう第1のモードと、数ビット単位でデータの書込を行なう第2のモードとのいずれかを設定するためのモード設定手段、および前記モード設定手段によって第1のモードが設定されたことに応じて、外部から与えられたデータを1ビットごとに前記メモリセルに書込み、前記第2のモードが設定されたことに応じて、外部から与えられたデータを数ビット単位で前記メモリセルに書込む書込制御手段を備えた、同期型半導体記憶装置。
引用特許：
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