特許
J-GLOBAL ID：200903035395615401
積層基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀田 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-041251
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200294
出願日： 2008年02月22日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：
【課題】簡単な製造工程で、処理に要する時間が短く、高密度且つ低抵抗損失の配線パターンが実現できる低温焼成積層セラミックス基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】アルミナとホウケイ酸ガラスを主成分とし、低温で焼成したセラミックス基板11と、セラミックス基板に設けた第1ビアホール12と、第1ビアホールに充填した充填導体13と、セラミックス基板の表面に形成したポリイミド樹脂等からなる絶縁膜15と、第1ビアホールの直上部に絶縁膜15に形成され、第1ビアホールよりも小径の第2ビアホール16と、第2ビアホール内と充填導体を覆ってスパッタリング等により形成した下地膜17と、下地膜17上に形成した、銅、ニッケル、金のメッキ層等からなる金属薄膜配線18と、を備えた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
アルミナとホウケイ酸ガラスを主成分としたセラミックス基板と、
前記セラミックス基板に設けられた第1ビアホールと、
前記第1ビアホールに充填された充填導体と、
前記セラミックス基板の表面に形成した絶縁膜と、
前記第1ビアホールの直上部において前記絶縁膜を貫通し、前記第1ビアホールよりも小径とした第2ビアホールと、
前記第2ビアホール内、および、前記第2ビアホール内における前記充填導体の露出面に形成された金属薄膜からなる下地膜と、
前記下地膜上に形成され、該下地膜よりも厚く形成した金属配線と、
を備えたことを特徴とする積層基板。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H05K3/46 N
, H05K3/46 B
, H05K3/46 H
5E346AA02
, 5E346AA12
, 5E346AA26
, 5E346BB02
, 5E346CC10
, 5E346CC18
, 5E346CC32
, 5E346CC37
, 5E346CC38
, 5E346CC57
, 5E346DD03
, 5E346DD24
, 5E346DD33
, 5E346EE32
, 5E346FF07
, 5E346FF14
, 5E346GG02
, 5E346GG17
, 5E346HH01
, 5E346HH25
, 5E346HH32
出願人引用 (2件)
審査官引用 (3件)
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パッケージ基板
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-179249
出願人：イビデン株式会社
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多層プリント配線板
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-121277
出願人：イビデン株式会社
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配線基板の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-103309
出願人：日本特殊陶業株式会社
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