特許

J-GLOBAL ID：200903052027782375

半導体装置およびその作製方法

発明者： 大谷 久 ,  宮永 昭治 ,  竹山 順一
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-031824
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221017
出願日： 1994年02月03日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 結晶化を助長する触媒元素を用いて、結晶性を有する珪素膜を形成する。【構成】 ガラス基板11上に形成された非晶質珪素膜12上に極薄の酸化膜13を形成し、ニッケル等の触媒元素を10〜200ppm(要調整)添加した酢酸塩溶液等の水溶液14を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナー15を用いてスピンドライを行なう。そして、550°C、1時間の加熱処理を行ない非晶質珪素膜12の表面に結晶核を形成する。さらにレーザー光を結晶核が形成された面側から行なうことよって、結晶成長を行なわせ結晶性珪素膜を得る。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜に結晶核を導入する工程と、前記結晶核から結晶成長せしめ結晶性珪素膜を得る工程と、を有することを特徴とする半導体装置作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-063017
  
• 多結晶半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-268469   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-319904   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-329761   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社