特許

J-GLOBAL ID：200903035428295980

成膜方法

発明者： 櫻井 良信 ,  塩澤 順一 ,  見方 裕一 ,  綱島 祥隆 ,  犬宮 誠治 ,  今井 正幸 ,  米川 司
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242974
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068468
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 SiCl4(テトラクロロシラン)ガス及びN2O(二窒化酸素)ガスを反応させてシリコン酸化膜を得るにあたって、シリコン酸化膜のリーク特性を向上させること。【解決手段】 反応容器内にウエハをウエハボートに保持して搬入し、加熱かつ減圧雰囲気下で成膜ガスであるSiCl4ガス及びN2Oガスを同時に所定期間供給し、次いで所定期間供給を停止し、このサイクルを繰り返していわば間欠成膜を行う。

請求項（抜粋）：

シリコンと塩素とを含む化合物からなる第1の成膜ガスと、第2の成膜ガスとを加熱雰囲気かつ減圧雰囲気の反応容器内に供給して反応させ、絶縁膜を被処理体に成膜する方法において、第1の成膜ガスを第1の流量で、また第2の成膜ガスを第2の流量で反応容器内に供給して成膜を行う成膜工程と、前記第1の成膜ガス及び第2の成膜ガスの少なくとも一方のガスの流量を前記成膜工程における流量よりも小さい流量に設定して成膜反応を抑制または停止させる工程と、を繰り返し行うことを特徴とする成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/31 B

Fターム (30件)：

5F045AA06 ,  5F045AB32 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD12 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF01 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EB02 ,  5F045EC02 ,  5F045EE02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EE18 ,  5F045GB06 ,  5F045GB07 ,  5F058BA05 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-084052   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-310841   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 特開平2-093071
  
• 特開平2-093071
  
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-020567   出願人：ソニー株式会社