特許
J-GLOBAL ID：200903035437668853

半導体装置

発明者：
丹羽 隆樹

丹羽 隆樹 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-353125
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186281
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 ヘテロ接合型バポーラトランジスタにおけるエミッタ抵抗を低減すること。【解決手段】 n型AlGaAsエミッタ層6とn型AlGaAsキャップ層8の間に、n型AlGaAsエミッタ層6よりも高い不純物濃度をn+型AlGaAs組成傾斜層13を挿入し好ましくはさらにn型AlGaAsエミッタ層6の一部を、n型AlGaAsエミッタ層6よりも高い不純物濃度にした高濃度エミッタ層14を設ける。
請求項（抜粋）：
ベース層からエミッタ電極に向かって、第1の組成傾斜層、ベース層よりもバンドギャップの広いエミッタ層、第2の組成傾斜層、エミッタ層よりもバンドギャップが狭くエミッタ層よりも高い不純物濃度の半導体層が順次形成されていることを特徴とするヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205
FI (2件)：
H01L 29/72 ,  H01L 29/205
引用特許：
審査官引用 (8件)
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