半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-219313
公開番号（公開出願番号）：特開平10-051004
出願日： 1996年08月01日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【目的】本質的に位置合わせ精度に誤差が存在する場合に、高抵抗領域の寸法の誤差による影響を抑制する。【構成】 2つのソース領域105と108、さらに1つのドレイン領域107を備えた活性層を有し、ドレイン領域に隣接して高抵抗領域113と114を備えている。このような構成とすることにより、高抵抗領域113と114の寸法にズレが生じても、その影響がソース領域に加えられる信号電圧の極性が反転した場合に現れることを抑制することができる。即ち、ソースからドレイン及びドレインからソースへの経路の対称性を保持することができる。

請求項（抜粋）：

2つのソース領域と、2つのチャネル領域と、1つのドレイン領域と、前記チャネル領域とそれぞれのドレイン領域との間に配置された2つの高抵抗領域と、が形成された活性層を有し、前記2つのソース領域は配線により接続されており、前記2つのチャネル領域には共通の駆動信号が供給されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 N , H01L 29/78 627 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-048989 出願人：日本電気株式会社
特開昭58-105574
薄膜電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-252266 出願人：松下電器産業株式会社

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