特許

J-GLOBAL ID：200903035525490150

窒化物半導体の成長方法

発明者： 赤崎 勇 ,  天野 浩 ,  上山 智 ,  松田 敏哉
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085941
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296699
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】ZrB2単結晶基板面上に窒化物半導体を成長するに当り、窒化物半導体から基板への抵抗を小さくするとともに、成長する窒化物半導体の結晶性を向上させる窒化物半導体の成長方法を提供する。【解決手段】化学式XB2(但し、XはTi、Zr、Nb、Hfの少なくとも1種を含む)にて表される二硼化物単結晶基板の上に、MOVPE法により400°Cを越え且つ1100°C未満の温度範囲にて(AlN)x(GaN)1-x層(0<x<1.0)を気相成長させ、次いでB、Al、Ga、In、Tlの少なくとも1種を含む窒化物半導体層を気相成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化学式XB2(但し、XはTi、Zr、Nb、Hfの少なくとも1種を含む)にて表される二硼化物単結晶基板の上に、MOVPE法により400°Cを越え且つ1100°C未満の温度範囲にて(AlN)x(GaN)1-x層(0<x<1.0)を気相成長させ、次いでB、Al、Ga、In、Tlの少なくとも1種を含む窒化物半導体層を気相成長させる窒化物半導体の成長方法。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C

Fターム (18件)：

5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF01 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-393056   出願人：科学技術振興事業団, 独立行政法人物質・材料研究機構
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-363655   出願人：三洋電機株式会社