特許
J-GLOBAL ID：200903067458920411

窒化物系半導体素子およびその製造方法

発明者：
畑 雅幸

畑 雅幸 について

, 
野村 康彦

野村 康彦 について

, 
狩野 隆司

狩野 隆司 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-363655
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163375
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】ホウ素化合物基板の裏面による水分の吸着に起因する電極の劣化や剥がれを防止することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体素子は、ZrB2基板1の表面上に形成された窒化物系半導体層(バッファ層2、n型クラッド層3、発光層4、p型クラッド層5およびp型コンタクト層6)と、ZrB2基板1の裏面上に形成されたタングステンからなる保護膜9とを備えている。
請求項（抜粋）：
ホウ素化合物基板の表面上に形成された窒化物系半導体層と、前記ホウ素化合物基板の裏面上に形成された保護膜とを備えた、窒化物系半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (16件)：
5F041AA34 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB14 ,  5F073DA04 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (10件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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