特許

J-GLOBAL ID：200903035555504962

整流ダイオード

発明者： 中島 昭 ,  安達 和広 ,  清水 三聡 ,  奥村 元
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-000982
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184382
出願日： 2006年01月06日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：

【課題】 分極による正及び負の両方の固定電荷を積極的に利用し、それにより形成される分極接合を利用した整流ダイオードを提供すること。【解決手段】 2種類以上の半導体を、少なくとも2個以上の半導体のヘテロ接合を形成するように3層以上積層した積層構造を有し、上記ヘテロ接合の界面に分極により発生する正及び負の固定電荷により、第一の導電型のキャリア及び第二の導電型のキャリアを同時に発生させるようにした分極接合を有する整流ダイオードにおいて、該積層構造の一方の側端に上記第一の導電型のキャリアに対してショットキー特性を有する第一の電極と、他方の側端に上記第一の導電型のキャリアに対してオーミック特性を有する第二の電極とを備えた整流ダイオードである。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

2種類以上の半導体を、少なくとも2個以上の半導体のヘテロ接合を形成するように3層以上積層した積層構造を有し、上記ヘテロ接合の界面に分極により発生する正及び負の固定電荷により、第一の導電型のキャリア及び第二の導電型のキャリアを同時に発生させるようにした分極接合を有する整流ダイオードにおいて、 該積層構造の一方の側端に上記第一の導電型のキャリアに対してショットキー特性を有する第一の電極と、 他方の側端に上記第一の導電型のキャリアに対してオーミック特性を有する第二の電極とを備えた整流ダイオード。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47

FI (2件)：

H01L29/91 H ,  H01L29/48 D

Fターム (9件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA06 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 超接合半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-237286   出願人：富士電機株式会社
• 整流ダイオ-ド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-311193   出願人：新電元工業株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Polarization effects in AlGaN/GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructures