特許
J-GLOBAL ID：200903035555870691
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-082828
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284723
出願日： 1997年04月01日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 ソース/ドレイン領域の高抵抗化を防止して高速かつ安定な動作をする高歩留まりの半導体装置を得るとともに、そのような半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】 第1の低濃度不純物領域5の上部であってサイドウォール絶縁体6y直下の部分以外の部分に溝部8を形成して、サイドウォール絶縁体6y形成時のダメージ層を除去するとともに、前記溝部8の下部に第2の低濃度不純物領域10を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のウエルを備えた半導体基板の主表面の上部に、前記半導体基板との間に絶縁層を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側面に形成されたサイドウォール絶縁体と、前記半導体基板の前記主表面部分にチャネル領域をはさんで形成された、第2導電型の第1の低濃度不純物領域と、前記第1の低濃度不純物領域の上部であって、前記サイドウォール絶縁体直下の部分以外の部分に形成された、サイドウォール絶縁体形成時のダメージ層を除去するための溝部と、前記溝部の下部に形成された、第2導電型の第2の低濃度不純物領域とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28
, H01L 21/768
H01L 29/78 301 S
, H01L 21/28 A
, H01L 21/90 C
