半導体実装用フィルムサブストレート

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-375459
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142264
出願日： 2003年11月05日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】下地層の酸化劣化による界面接着性の低下が抑制され耐久性に優れ、かつ熱や湿度変化によるフィルムの形態変化が少なく、配線回路パターンのエッチング性やめっき耐性を低下させることなく、長時間の加熱、湿熱に暴露されても接着強度が低下することなく、さらに耐マイグレーション特性に優れ、結果として高い信頼性を与える半導体実装用フィルムサブストレートの提供。【解決手段】ニッケル-クロム合金のスパッタ層を下地層とし、さらに厚付けされた金属層を有する金属化ポリイミドフィルムにおいて、該ポリイミドフィルムの酸素透過率が20ml/m2・day・atm以下で、かつ熱線膨張率が12ppm/°C以下あることを特徴とする金属化ポリイミドフィルムを基材として用いたことを特徴とする半導体実装用フィルムサブストレート。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ニッケル-クロム合金のスパッタ層を下地層とし、さらに厚付けされた金属層を有する金属化ポリイミドフィルムにおいて、該ポリイミドフィルムの酸素透過率が20ml/m2・day・atm以下で、かつ熱線膨張率が12ppm/°C以下あることを特徴とする金属化ポリイミドフィルムを基材として用いたことを特徴とする半導体実装用フィルムサブストレート。

IPC (3件)：

H01L21/60 , B32B15/08 , C08G73/10

FI (3件)：

H01L21/60 311W , B32B15/08 R , C08G73/10

Fターム (64件)：

4F100AB01B , 4F100AB13A , 4F100AB16A , 4F100AB17 , 4F100AB31A , 4F100AH02C , 4F100AH03C , 4F100AK49C , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10B , 4F100BA10C , 4F100EH66 , 4F100EH662 , 4F100EH71 , 4F100EH712 , 4F100EJ42 , 4F100EJ422 , 4F100EJ60 , 4F100EJ602 , 4F100EJ61 , 4F100EJ612 , 4F100GB41 , 4F100JA02C , 4F100JB01 , 4F100JD03C , 4F100JD04C , 4F100JJ03 , 4F100JL11 , 4F100YY00A , 4F100YY00B , 4F100YY00C , 4J043QB26 , 4J043QB31 , 4J043RA35 , 4J043SA06 , 4J043SB01 , 4J043TA22 , 4J043TB01 , 4J043UA121 , 4J043UA131 , 4J043UA312 , 4J043UA561 , 4J043UA672 , 4J043UB022 , 4J043UB032 , 4J043UB122 , 4J043UB152 , 4J043UB401 , 4J043UB402 , 4J043XA11 , 4J043XA16 , 4J043YA06 , 4J043YA08 , 4J043ZA02 , 4J043ZA12 , 4J043ZA31 , 4J043ZA34 , 4J043ZA35 , 4J043ZA60 , 4J043ZB11 , 4J043ZB50 , 5F044MM03 , 5F044MM06

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-329690号公報
特開平4-290742号公報
特開昭62-293689号公報

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