処理装置、これを用いる付着物の剥離防止方法および半導体装置の製造方法、半導体製造装置の構成部品ならびにフォーカスリング

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339137
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228398
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】反応生成物の付着層や装置表面のコーティングが剥がれるのを抑制して、チャンバー内のパーティクルを低下させ、製品、例えば半導体装置などの歩留りを維持したまま、あるいは向上させつつ、装置の稼働率を向上させることのできる、主として半導体装置製造のための処理装置、これを用いる堆積物の剥離防止方法および半導体装置の製造方法ならびに半導体製造装置の構成部品およびフォーカスリングを提供する。【解決手段】処理槽内に装着した被処理物に半導体装置を製造するための処理を行う処理装置の処理槽内の構成部品の少なくとも一部が、実質的に垂直な段差によって分割された複数の小領域からなる表面を有することにより、上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

処理槽内に装着した被処理物に半導体装置を製造するための処理を行う処理装置であって、該処理槽内の構成部品の少なくとも一部が、実質的に垂直な段差によって分割された複数の小領域からなる表面を有することを特徴とする処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 C , H01L 21/31 C

引用特許：

出願人引用 (7件)

電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-263093 出願人：松下電子工業株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-022736 出願人：東京エレクトロン株式会社
エッチング方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-304974 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (12件)

特開平4-188726
特開平4-188726
電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-263093 出願人：松下電子工業株式会社

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