プラズマCVD法及び装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷川昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-215581
公開番号（公開出願番号）：特開平9-137273
出願日： 1996年08月15日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】成膜用原料ガスを電力印加によりプラズマ化し、このプラズマのもとで被成膜物品上に膜形成するプラズマCVD法及び装置であって、膜形成を従来方法及び装置によるより低温で行うことができ、しかも、物品に対する密着性良好な膜を得ることができるプラズマCVD法及び装置を提供する。【解決手段】成膜用原料ガスを高周波電力及び直流電力の印加によりプラズマ化し、この際、この直流電力を被成膜物品Sを設置した電極2に印加するようにして被成膜物品S上に膜形成するプラズマCVD法及び装置。

請求項（抜粋）：

成膜用原料ガスを電力印加によりプラズマ化し、該プラズマのもとで被成膜物品上に膜形成するプラズマCVD法において、前記原料ガスのプラズマ化を高周波電力及び直流電力を印加することで行い、該直流電力を被成膜物品を設置した電極に印加することを特徴とするプラズマCVD法。

IPC (5件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (6件)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/285 C , H01L 21/31 C , H05H 1/46 L , H05H 1/46 M

引用特許：

審査官引用 (9件)

薄膜形成法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-155740 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-041672
特開平3-240959

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