特許

J-GLOBAL ID：200903035613836164

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

発明者： 鎌田 親義 ,  岸 均
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-092227
公開番号（公開出願番号）：特開2001-283412
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 本発明は磁気抵抗効果膜を保護するキャップ保護膜の腐蝕により端子電極間の抵抗が増加することがなく高感度なオーバーレイド構造とした磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗変化を利用して磁気的信号を電気的信号に変える磁気抵抗効果膜の両端部に電極端子膜が一部重なるように配置されているオーバーレイド構造の磁気抵抗効果素子であって、前記磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜を保護するキャップ保護膜と、該キャップ保護膜を保護する導電性の導体保護膜とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗変化を利用して磁気的信号を電気的信号に変える磁気抵抗効果膜の両端部に電極端子膜が一部重なるように配置されているオーバーレイド構造の磁気抵抗効果素子であって、前記磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜を保護するキャップ保護膜と、該キャップ保護膜を保護する導電性の導体保護膜とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (4件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (10件)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017CA12 ,  2G017CB28 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA17 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜デバイス及び薄膜デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-137010   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-092567   出願人：松下電器産業株式会社
• リードヘッド素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-031331   出願人：富士通株式会社
• 磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-123797   出願人：日本電気株式会社