特許
J-GLOBAL ID：200903035613836164

磁気抵抗効果素子及びその製造方法

発明者：
鎌田 親義

鎌田 親義 について

, 
岸 均

岸 均 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-092227
公開番号（公開出願番号）：特開2001-283412
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 本発明は磁気抵抗効果膜を保護するキャップ保護膜の腐蝕により端子電極間の抵抗が増加することがなく高感度なオーバーレイド構造とした磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗変化を利用して磁気的信号を電気的信号に変える磁気抵抗効果膜の両端部に電極端子膜が一部重なるように配置されているオーバーレイド構造の磁気抵抗効果素子であって、前記磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜を保護するキャップ保護膜と、該キャップ保護膜を保護する導電性の導体保護膜とを含んでいる。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗変化を利用して磁気的信号を電気的信号に変える磁気抵抗効果膜の両端部に電極端子膜が一部重なるように配置されているオーバーレイド構造の磁気抵抗効果素子であって、前記磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜を保護するキャップ保護膜と、該キャップ保護膜を保護する導電性の導体保護膜とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (4件)：
G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
Fターム (10件)：
2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017CA12 ,  2G017CB28 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA17 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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