特許
J-GLOBAL ID：200903035642432188

半導体素子の製造法

発明者：
ヨアヒム ヘプフナー

ヨアヒム ヘプフナー について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-049279
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291843
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】強誘電性又は常誘導性のコンデンサー材料を使用するストレージコンデンサーが水素の侵入から十分に保護される半導体素子の製造法を提供する。【解決手段】 サブストレート1の上に第一の酸化物層4を設け、その上に下側電極及び上側電極31、33及びこれらの間に析出した金属酸化物含有コンデンサー材料層32を有するコンデンサーを形成させ、コンデンサーの形成の前に、第一の酸化物層4を、プラズマドープ法の使用下に、第一の酸化物層中で水素拡散バリア7Aを形成するバリア物質をドープする。
請求項（抜粋）：
サブストレート(1)の上に第一の酸化物層(4)を設け;第一の酸化物層(4)の上に、下側電極及び上側電極(31、33)及びこれらの間に析出させられた金属酸化物含有コンデンサー材料層(32)を有するコンデンサー(3)を形成させる半導体素子の製造法において、コンデンサー(3)の形成の前に、第一の酸化物層(4)を、プラズマドープ法の使用下に、水素拡散バリアを第一の酸化物層中に形成するバリア物質でドープすることを特徴とする、半導体素子の製造法。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (5件)：
H01L 21/316 P ,  H01L 21/318 A ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651
引用特許：
審査官引用 (4件)
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