特許

J-GLOBAL ID：200903035643608964

ウエーハの分割方法

発明者： 桐原 直俊 ,  山口 浩司 ,  森重 幸雄
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-184160
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021476
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって複数のデバイスが形成されたウエーハを、ストリートの間隔を大きくすることなく、個々のデバイスに分割することができるウエーハの分割方法を提供する。【解決手段】半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって形成されたデバイスがストリートによって区画されて形成されているウエーハを、ストリートに沿って切削ブレードにより切断して個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハの積層体側からストリートに沿って切削ブレードの幅より大きく該ストリートの幅より小さい外径を有する環状のスポットに形成されたレーザー光線を照射し、積層体に半導体基板に達するレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、半導体ウエーハの半導体基板をストリートに形成されたレーザー加工溝に沿って切削ブレードにより切断する切断工程を含む。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された積層体によって形成されたデバイスがストリートによって区画されて形成されているウエーハを、該ストリートに沿って切削ブレードにより切断して個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、 該ウエーハの該積層体側から該ストリートに沿って該切削ブレードの幅より大きく該ストリートの幅より小さい外径を有する環状のスポットに形成されたレーザー光線を照射し、該積層体に該半導体基板に達するレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成工程と、 該半導体ウエーハの該半導体基板を該ストリートに形成された該レーザー加工溝に沿って該切削ブレードにより切断する切断工程と、を含む、 ことを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (2件)：

H01L21/78 L ,  H01L21/78 B

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 板状物の分割方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-292189   出願人：株式会社ディスコ

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-154484
  
• レーザー加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-000822   出願人：株式会社ディスコ
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-064521   出願人：株式会社東芝, 東芝LSIパッケージソリューション株式会社