特許

J-GLOBAL ID：200903035676971177

半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 細谷 啓司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-380321
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179213
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 1ビットあたりの記憶データ値を増やすことが可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体記憶装置は、1セルに、磁化容易軸16a、21aの方向を互いに異なる方向に向けて積層された複数の記憶素子16、21と、前記複数の記憶素子16、21を挟み、互いに異なる方向に延在する第1及び第2の配線13、23とを具備する。

請求項（抜粋）：

1セルに、磁化容易軸の方向を互いに異なる方向に向けて積層され、少なくとも2値の抵抗値をそれぞれ有する複数の磁気抵抗効果素子と、前記複数の磁気抵抗効果素子を挟み、互いに異なる方向に延在する第1及び第2の配線とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 E ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083PR03 ,  5F083PR04 ,  5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気メモリとその駆動方法、およびこれを用いた磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-178745   出願人：松下電器産業株式会社
• 記憶セル構造およびこの構造を備えた4値記憶固体磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-211737   出願人：日本放送協会
• スタックされたMTJセル・メモリの検出方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-374139   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 19931201, Vol.128, No.3, pp.354-360