特許

J-GLOBAL ID：200903035677882844

半導体製造装置

発明者： 高田 政利 ,  福村 紀之
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 守山 辰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-170422
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340037
出願日： 1995年06月13日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 プロセス処理で発生した副生成物により基板や他のチャンバが汚染される事態を防止する。【構成】 処理対象の基板に所定の処理を施すプロセスチャンバP1、P2と、プロセスチャンバの開口に連通して設けられたトランスファチャンバTと、プロセスチャンバの開口を開閉するゲートバルブGP1、GP2と、を備えた半導体製造装置において、トランスファチャンバTにガス導入口12と排気口11とを設け、少なくともゲートバルブGP1、GP2を開放したときには、ガス導入口12から不活性ガスを供給してトランスファチャンバT内に不活性ガス流を形成し、プロセスチャンバP1、P2からの副生成物を不活性ガス流によって迅速に排気し、或いは、副生成物のプロセスチャンバからの逆拡散を防止する。

請求項（抜粋）：

処理対象の基板に所定の処理を施すプロセスチャンバと、プロセスチャンバの開口に連通して設けられた他のチャンバと、プロセスチャンバの開口を開閉するゲートバルブと、を備えた半導体製造装置において、前記他のチャンバにガス導入口と排気口とを設け、少なくとも前記ゲートバルブを開放したときには、ガス導入口から不活性ガスを供給して当該他のチャンバ内に不活性ガス流を形成することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/02

FI (3件)：

H01L 21/68 A ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/02 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 搬送処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-323703   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
• 真空排気方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-196824   出願人：東京エレクトロン株式会社
• ドライプロセス装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-303337   出願人：沖電気工業株式会社