特許
J-GLOBAL ID：200903035697235586
半導体発光素子および露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-232180
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074559
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子において、青色もしくは緑色の光ビームを小さいスポット径でかつ小さい放射角で発光可能とする。【解決手段】 基板1上に、活性層7をクラッド層6、8で挟むダブルヘテロ構造を含むInGaN 系の半導体層を順次形成し、リッジ形状を有する屈折率導波型のストライプ構造の半導体発光素子とする。素子の劈開面は反射面とし、半導体層構成および屈折率導波型の光導波機構と劈開面である両光出射端面の反射機構とからなる光反射構造を形成する。
請求項（抜粋）：
光導波機構を有し、発光端面に反射鏡が形成されている、ストライプ構造の半導体発光素子であって、前記光導波機構により制限された発光領域から、緑色もしくは450nm以上の波長を有する青色の光ビームをスーパーラディアンスにより発光することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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