特許
J-GLOBAL ID：200903035697758716

磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド

発明者：
シビア ラシド

シビア ラシド について

, 
佐藤 勇武

佐藤 勇武 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (1件)： 吉村 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-427975
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191101
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 実現的なコストで製造することができる単純な素子構造を有すると共により高い磁気抵抗変化率を有する磁気抵抗効果素子、及びそうした磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 第1の強磁性層11である自由層1と、第2の強磁性層21である固定層2と、自由層1と固定層2との間に設けられた1又は2以上のナノ接合部3とを有し、そのナノ接合部3が、酸素、窒素、硫黄及び塩素の群から選ばれる1又は2以上の非金属を含むことにより、上記課題を解決した。このとき、ナノ接合部3を構成する材料が、Fe、Ni、Co、NiFe、CoFe及びCoFeNiから選ばれる強磁性金属、又は、NiFeSb、NiMnSb、PtMnSb及びMnSbから選ばれる半金属であることが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の強磁性層である自由層と、第2の強磁性層である固定層と、前記自由層と前記固定層との間に設けられた1又は2以上のナノ接合部とを有し、当該ナノ接合部が、酸素、窒素、硫黄及び塩素の群から選ばれる1又は2以上の非金属を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10
FI (5件)：
H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10
Fターム (7件)：
5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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