SiC半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-317022
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124208
出願日： 2001年10月15日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 SiCとゲート酸化膜との界面における残留炭素を除去し、界面準位密度を低減させ、チャネル移動度を向上させる。【解決手段】 Si終端とした表面チャネル層5の表面にLTO膜をデポジションしたのち、700°C以上かつ900°C以下での熱処理を行うことで表面チャネル層5の表面で終端しているSiのみを酸化させる。このような構造とされたLTO膜をゲート酸化膜7として用いるようにする。このようにすれば、ゲート酸化膜7と表面チャネル層5との界面が残留炭素をほぼ含まない状態にすることができ、さらに高いチャネル移動度を実現できると共に、オン抵抗のさらなる低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

基板(1、41、101)に備えられたSiC層(5、48、102)の表面に酸化膜(7、49、105)を形成してなるSiC半導体装置の製造方法において、前記SiC層の表面をSi終端された清浄面とする工程と、前記清浄面とされたSiC層の表面に酸化膜を形成したのち、700°C以上かつ900°C以下での熱酸化を施し、前記SiC層の表面で終端しているSiのみを酸化させることで、前記酸化膜と前記SiC層との界面をSiO2/SiC清浄界面とする工程とを有することを特徴とするSiC半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/314 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653

FI (7件)：

H01L 21/314 A , H01L 29/78 652 F , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 658 F , H01L 29/78 301 B

Fターム (23件)：

5F058BA01 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BE04 , 5F058BE10 , 5F058BF04 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F140AA05 , 5F140AC23 , 5F140BA00 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BB15 , 5F140BC12 , 5F140BD05 , 5F140BE01 , 5F140BE05 , 5F140BE09 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04

引用特許：

審査官引用 (3件)

絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-184440 出願人：松下電器産業株式会社
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-077876 出願人：株式会社デンソー
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-310865 出願人：株式会社デンソー

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