特許
J-GLOBAL ID：200903035759274427

プラズマエッチング方法

発明者：
鍋澤 浩文

鍋澤 浩文 について

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金沢 元一

金沢 元一 について

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浅地 豊久

浅地 豊久 について


出願人/特許権者：
富山県

富山県 について

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立山マシン株式会社

立山マシン株式会社 について


代理人 (1件)： 廣澤 勲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-353799
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165228
出願日： 2004年12月07日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】 エッチングされる基板等のクラックや破壊を抑制しつつ、エッチング選択比を増大させ、酸化物材料等に対して精密かつ高アスペクト比な微細加工を可能とするプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】 被エッチング材料の表面をエッチングガスによる反応性イオンによりエッチングする際に、少なくともフッ素原子を含むガスを主成分とし、それらに不活性ガスやハロゲンガスを混合したフッ素含有プラズマを用いる。このプラズマにエッチング可能なセルフバイアス電圧を印加するエッチング工程と、前記プラズマにエッチング可能なセルフバイアス電圧を印加しない若しくはエッチングが進行しない程度のセルフバイアス電圧を印加して、前記プラズマにより前記被エッチング材料表面のエッチングマスクの表面改質を行う工程とを、交互に繰り返してエッチングを行う。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
被エッチング材料の表面をエッチングガスによる反応性イオンによりエッチングするプラズマエッチング方法において、少なくともフッ素原子を含むガスを主成分とし、それらに不活性ガスやハロゲンガスを混合したフッ素含有プラズマを用いて、このプラズマにエッチング可能なセルフバイアス電圧を印加するエッチング工程と、前記プラズマにエッチング可能なセルフバイアス電圧を印加しない若しくはエッチングが進行しない程度のセルフバイアス電圧を印加して、前記プラズマにより前記被エッチング材料表面のエッチングマスクの表面改質を行う工程とを、交互に繰り返してエッチングを行うことを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (1件)：
H01L 21/306
FI (1件)：
H01L21/302 104Z
Fターム (10件)：
5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BB11 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DB13 ,  5F004EA05
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
  • 特開平4-021793
  • 特開平3-262120
  • 構造体の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-250982   出願人：日本板硝子株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
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