特許
J-GLOBAL ID：200903035772927855
厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-092457
公開番号（公開出願番号）：特開2008-250062
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】上面に銅によって形成された部分を有する支持体上においても高解像性を有し、良好なレジストパターンを得ることが可能な厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法を提供することを提供すること。【解決手段】本発明の厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物は、支持体上に膜厚0.1〜100μmの厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、特定の構造のアニオン部を有するオニウム塩などの酸発生剤と、特定の構成単位を特定の配合比率で有する樹脂を含有する厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
支持体上に膜厚0.1〜100μmの厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、
(A)活性光線又は放射線照射により酸を発生する化合物、及び(B)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂を含有し、
前記(A)成分が、下記化学式(a1)で表されるアニオン部を有するオニウム塩であり、
前記(B)成分が、下記化学式(b1)で表される構成単位、下記化学式(b2)で表される構成単位、及び下記化学式(b3)で表される構成単位を有する共重合体であることを特徴とする厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/039
, G03F 7/004
, G03F 7/20
, H01L 21/027
G03F7/039 601
, G03F7/004 503A
, G03F7/004 501
, G03F7/20 501
, H01L21/30 502R
2H025AA02
, 2H025AB15
, 2H025AC01
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC07
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BF14
, 2H025BF15
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 2H097FA03
, 2H097LA09
