特許
J-GLOBAL ID：200903036667537452

ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者：
辻 裕光

辻 裕光 について

, 
遠藤 浩太朗

遠藤 浩太朗 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-416560
公開番号（公開出願番号）：特開2005-173464
出願日： 2003年12月15日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】高解像性を維持しつつ、ラインエッジラフネスや現像残渣を抑制したホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基と(ii)アルコール性水酸基とを共に有する脂肪族環式基を持つアルカリ可溶性の構成単位を含み、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体成分と、 (B)露光光を受けて酸を発生する酸発生剤成分であって、 (B-1)下記一般式(1)C-(SO2CnF2n+1)3・・・・・・・・・(1)(nは1〜5の整数である)をアニオン部として有するオニウム塩を少なくとも含む酸発生剤成分とを含有させてホトレジスト組成物を構成する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基と(ii)アルコール性水酸基とを共 に有する脂肪族環式基を持つアルカリ可溶性の構成単位を含み、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体成分と、 (B)露光光を受けて酸を発生する酸発生剤成分であって、 (B-1)下記一般式(1) C-(SO2CnF2n+1)3・・・・・・・・・(1) (nは1〜5の整数である) をアニオン部として有するオニウム塩を少なくとも含む酸発生剤成分と、 を含有することを特徴とするホトレジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F7/004 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (5件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (14件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CA48 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025DA19 ,  2H025FA12
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • ポジ型レジスト組成物
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-149620   出願人：富士写真フイルム株式会社
審査官引用 (10件)
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