特許

J-GLOBAL ID：200903035777003228

ハフニウム含有膜形成材料及び該材料から作製されたハフニウム含有薄膜の製造方法

発明者： 齋 篤 ,  曽山 信幸 ,  柳澤 明男
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-202195
公開番号（公開出願番号）：特開2005-314785
出願日： 2004年07月08日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

【課題】気化安定性に優れ、高い成膜速度を有するハフニウム含有膜形成材料及び該形成材料の製造方法を提供する。良好な段差被覆性を有するハフニウム含有薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】ハフニウム原子と窒素原子との結合を有するか、或いはハフニウム原子と酸素原子との結合を有する有機ハフニウム化合物を含むハフニウム含有膜形成材料の改良であり、その特徴ある構成は、形成材料中に含まれるジルコニウム元素の含有量が650ppm以下であるところにある。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有機ハフニウム化合物を含むハフニウム含有膜形成材料であって、 前記形成材料中に含まれるジルコニウム元素の含有量が650ppm以下であることを特徴とするハフニウム含有膜形成材料。

IPC (2件)：

C23C16/40 ,  H01L21/316

FI (2件)：

C23C16/40 ,  H01L21/316 X

Fターム (8件)：

4K030AA11 ,  4K030BA10 ,  4K030BA42 ,  4K030LA15 ,  5F058AA03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF02 ,  5F058AH04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 高純度ハフニウム錯体Hf(DPM)4の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-045009   出願人：日本酸素株式会社
• 成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-364056   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 高純度ハフニウム錯体Hf(DPM)4の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-045009   出願人：日本酸素株式会社
• ハフニウム系酸化膜形成材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-282198   出願人：株式会社トリケミカル研究所