特許
J-GLOBAL ID:200903035795706090

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長南 満輝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-335712
公開番号(公開出願番号):特開2006-147835
出願日: 2004年11月19日
公開日(公表日): 2006年06月08日
要約:
【課題】 透明基板およびCCD等の光電変換デバイス領域を有する半導体装置を製造する際に発生する透明基板の反りを低減する。【解決手段】 複数の半導体装置に対応するサイズの透明基板1上の所定の複数箇所に、シリコン基板4の下面に光電変換デバイス領域5を有する半導体構成体3を配置し、半導体構成体3間におけるベース板1上に、半硬化樹脂を含む格子状の絶縁層形成用シート21a、21bを配置し、その上に、透明基板1の熱膨張係数と同じかそれに近い熱膨張係数を有する材料からなる格子状のハードシート22を配置し、その上に、半硬化樹脂を含む上層絶縁膜形成用シート23aを配置する。そして、上下から加熱加圧し、半導体構成体3間におけるベース板1上に絶縁層を形成し、絶縁層の上面にハードシート22を埋め込み、半導体構成体3、絶縁層およびハードシート22の上面に上層絶縁膜を形成する。この場合、ハードシート15の存在により、透明基板1の反りが低減される。【選択図】 図9
請求項(抜粋):
上面に下層配線を有するベース基板と、前記ベース基板上に、半導体基板下に設けられた外部接続用電極を前記下層配線に接続されて設けられた半導体構成体と、前記半導体構成体の周囲における前記ベース基板上に設けられた絶縁層と、少なくとも前記絶縁層上に設けられたハードシートと、前記半導体構成体、前記絶縁層および前記ハードシート上に設けられた上層絶縁膜と、前記上層絶縁膜上に前記下層配線に接続されて設けられた上層配線とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H01L 27/14
FI (2件):
H01L23/12 501S ,  H01L27/14 D
Fターム (8件):
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118FA06 ,  4M118HA02 ,  4M118HA11 ,  4M118HA24 ,  4M118HA26
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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