特許
J-GLOBAL ID:200903001739415758

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 花輪 義男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-371538
公開番号(公開出願番号):特開2004-207306
出願日: 2002年12月24日
公開日(公表日): 2004年07月22日
要約:
【課題】例えばBGAと呼ばれる半導体装置の製造に際し、研磨工程を必要としても、安価で低精度の研磨装置を用いて簡単に研磨する。【解決手段】複数の半導体装置に対応するサイズのベース板1上の接着層2上の所定の複数箇所にCSPと呼ばれる半導体構成体3を配置する。次に、半導体構成体3間に、ガラス繊維等を含む半硬化の熱硬化性樹脂からなる絶縁材材料13Aを配置して、一対の加熱加圧板を用いて加熱加圧することにより、上面が導体構成体3の上面とほぼ面一となる絶縁材を形成する。この場合、絶縁材材料13A中の樹脂が半導体構成体3上に流出しても、これを安価で低精度のバフまたはエンドレス研磨ベルトを用いて簡単に研磨して除去することができる。そして、その上に、上層絶縁膜、上層再配線、半田ボール等を形成し、次いで、互いに隣接する半導体構成体3間において切断すると、半田ボールを備えた半導体装置が複数個得られる。【選択図】 図9
請求項(抜粋):
上面に複数の外部接続部を有する半導体構成体と、該半導体構成体の側方に設けられた絶縁材と、前記半導体構成体の外部接続部を除く上面および前記絶縁材の上面に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に、前記半導体構成体の外部接続部に接続されて設けられ且つ接続パッド部を有する少なくとも一層の上層再配線とを備え、前記絶縁材は補強材を含む樹脂からなり、前記上層再配線のうち、最上層の上層再配線の少なくとも一部の接続パッド部は前記絶縁材上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L23/12 ,  H01L21/3205
FI (2件):
H01L23/12 501P ,  H01L21/88 T
Fターム (12件):
5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22
引用特許:
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る