特許
J-GLOBAL ID：200903035821703682
窒化物半導体基板のマーキング方法及び窒化物半導体基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
平田 忠雄
, 角田 賢二
, 岩永 勇二
, 中村 恵子
, 遠藤 和光
, 野見山 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-147615
公開番号（公開出願番号）：特開2009-295767
出願日： 2008年06月05日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：
【課題】Nd-YAGレーザの基本波及び第2高調波を含む所定の波長領域のレーザ光により窒化物半導体基板の表面にマーキングすることを可能とする窒化物半導体基板のマーキング方法及び窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】本発明に係る窒化物半導体基板のマーキング方法は、ミラー面である第1の面と、第1の面に対向する第2の面とを有する窒化物半導体基板を準備する基板準備工程と、波長450nmから波長1100nmのレーザ光を第1の面側から照射して、レーザ光が照射された領域に、第1の面から第2の面に向かって所定の深さを有するマークを形成するマーキング工程とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ミラー面である第1の面と、前記第1の面に対向する第2の面とを有する窒化物半導体基板を準備する基板準備工程と、
波長450nmから波長1100nmのレーザ光を前記第1の面側から照射して、前記レーザ光が照射された領域に、前記第1の面から前記第2の面に向かって所定の深さを有するマークを形成するマーキング工程と
を備える窒化物半導体基板のマーキング方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/02 A
, B23K26/00 B
, B23K26/00 H
, B23K26/00 M
4E068AB00
, 4E068CA01
, 4E068CA13
, 4E068DA10
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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