特許

J-GLOBAL ID：200903022447675691

表裏識別した矩形窒化物半導体基板

発明者： 中山 雅博 ,  平野 哲也
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-275934
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319950
出願日： 2003年07月17日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】 従来のGaNウエハは表面が鏡面、裏面が粗面であり、面粗度の違いを肉眼で見て表面裏面を区別していた。それは分かりやすい違いでないし、裏面が荒れているとパーティクルが付く恐れがあり反りも大きくなるしクラック発生・ワレ発生などの恐れもある。面粗度の違いを用いないで窒化物半導体矩形基板の表裏を区別できるようにすること。【解決手段】 表裏を区別するために時計廻りに長短という順に並ぶ切欠きを矩形GaN基板の二つの隅部に設ける、一つの隅部に角度が5 ゚〜40 ゚をなすような一つの切欠きを設ける、あるいは表面側と裏面側の面取り量を異ならせる、または文字を書いて表裏を区別する。裏面をより平滑にすることができ表面と状態が近似するのでパーティクルの付着が減り、反りも減少し、ワレカケなどの発生も少なくなった。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

(0001)表面を持ち(11-20)面と(1-100)面を側辺とする矩形であって、(11-20)面を基準面として、その対辺の2頂点に長い切欠きと短い切欠きを表面から見て時計廻りに順に付けたことを特徴とする表裏識別した矩形窒化物半導体基板。

IPC (3件)：

H01L21/02 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00

FI (4件)：

H01L21/02 A ,  H01L21/02 B ,  C30B29/38 D ,  C30B33/00

Fターム (5件)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077FG16 ,  4G077HA12

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 特開平2-144908号「半導体装置の製造方法」
  
• 特開昭60-167426号「半導体結晶ウエハー」
  
• ノッチ付半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-141062   出願人：日立電線株式会社
• 特開昭58-71616号「半導体装置の製造方法」
  
• ノッチ付き半導体ウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-140106   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 窒化ガリウムウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-166904   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化ガリウムウエハおよび窒化ガリウムウエハのマーキング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-008130   出願人：住友電気工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-234905   出願人：日立電線株式会社
• 窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-014952   出願人：松下電器産業株式会社
• シリコンウェーハ及び貼り合わせウェーハの製造方法、並びにその貼り合わせウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-090803   出願人：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-258741   出願人：株式会社東芝