特許
J-GLOBAL ID：200903011545927966

窒化物半導体素子の製法およびその方法により得られる窒化物半導体発光素子

発明者：
好田 慎一

好田 慎一 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-271162
公開番号（公開出願番号）：特開2007-087973
出願日： 2005年09月16日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】 窒化物半導体を用いたLDやLED、トランジスタなどの窒化物半導体素子を製造する場合に、ウェハからチップ化を容易に行うことができ、とくにLDを形成する場合に、劈開による共振器端面を形成することができる窒化物半導体素子の製法およびその方法により得られる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaN系基板1に窒化物半導体積層部6を形成したウェハ10からチップ化する切断予定ラインAの少なくとも一部に、ウェハ10の他面側からGaN系基板1内の一定の深さdに焦点を合せて、GaN系基板1のバンドギャップ波長より長い波長で、多光子吸収を起こす電界強度のレーザ光LBを照射することにより、GaN系基板1の内部にレーザ光による加工痕11を形成する。その後、ウェハ10に衝撃を与えることにより、加工痕11の近傍に形成される切断起点12に沿ってウェハ10を切断する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(a)GaN系基板からなるウェハの一面上に少なくともn形層およびp形層を含む窒化物半導体層からなる半導体積層部を形成し、 (b)前記ウェハからチップ化する切断予定ラインの少なくとも一部に、前記ウェハの他面側から前記GaN系基板内の一定の深さに焦点を合せて、前記GaN系基板のバンドギャップエネルギーに相当する波長より長い波長で、多光子吸収を起こす電界強度のレーザ光を照射することにより、前記GaN系基板の内部にレーザ光による加工痕を形成し、 (c)前記ウェハに衝撃を与えることにより、前記加工痕近傍に形成される切断起点に沿って前記ウェハを切断する ことを特徴とする窒化物半導体素子の製法。
IPC (9件)：
H01L 21/301 ,  H01S 5/02 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/00 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (8件)：
H01L21/78 B ,  H01S5/02 ,  H01L33/00 C ,  H01S3/00 B ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40 ,  H01L21/78 T ,  H01L29/80 H
Fターム (36件)：
4E068AA02 ,  4E068AE00 ,  4E068CA01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA09 ,  4E068CA11 ,  4E068DA10 ,  5F041AA31 ,  5F041AA41 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR03 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC15 ,  5F172ZZ01 ,  5F173AA08 ,  5F173AH12 ,  5F173AH44 ,  5F173AH45 ,  5F173AP83 ,  5F173AP85 ,  5F173AP93 ,  5F173AP95 ,  5F173AQ05 ,  5F173AR92
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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