高平坦性ファセットを有する高品質バルク単結晶の成長法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-120369
公開番号（公開出願番号）：特開2002-275000
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】横型成長装置を用い、昇華法により化合物結晶原料上に平坦性に優れたファセットを有する高品質バルク単結晶の成長法を提供しようとするものである。【解決手段】昇華法を用いたバルク単結晶の気相成長法において、異なる断面積の横型成長管を接合して結晶成長容器1とし、高温度THに化合物結晶原料3を配置し、かつ低低温度TLに当該化合物結晶原料の構成元素の一種4を配置し、TH側の成長管断面積および温度勾配をそれぞれSHおよびΔTとし、TL側成長管断面積をSLとすると、断面積比S(=SL/SH)が0HおよびTLが300K≦TL≦TH≦2000Kならびに温度勾配ΔT(K/10-2m)が0≦ΔT≦20の条件下で、当該化合物結晶原料上に化学量論的組成からの偏差が制御された高平坦性ファセットが自然形成された高品質単結晶5を成長する。

請求項（抜粋）：

昇華法を用いたバルク単結晶の気相成長法において、異なる断面積の横型成長管を接合して結晶成長容器とし、高温度THに化合物結晶原料を配置し、かつ低温度TLに当該化合物結晶原料の構成元素の一種を配置し、TH側の成長管断面積および温度勾配をそれぞれSHおよびΔTとし、低温度TL側成長管断面積をSLとすると、断面積比S(=SL/SH)が0HおよびTLが300K≦TL≦TH≦2000Kならびに温度勾配ΔT(K/10-2m)が0≦ΔT≦20の条件下で、当該化合物結晶原料上に化学量論的組成からの偏差が制御された高平坦性ファセットが自然形成された高品質単結晶を成長することを特徴とするバルク単結晶成長法。

Fターム (8件)：

4G077AA02 , 4G077BE22 , 4G077BE25 , 4G077DA18 , 4G077EA01 , 4G077SA01 , 4G077SA07 , 4G077SA11

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平1-183499
特開昭54-023467
特開平1-183499

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