特許
J-GLOBAL ID：200903035832281879

荷電粒子ビーム露光方法

発明者：
大澤 森美

大澤 森美 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-262166
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075841
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 荷電粒子ビーム露光方法に関し、露光データ寸法Wを前方散乱強度分布の半値幅を設計寸法W0 に等しくする図形変更の結果、露光データ寸法Wでは露光が困難な場合にも、パターン精度の高い露光を行う。【解決手段】 図形変更の結果、露光データ寸法が荷電粒子ビーム露光装置が安定して荷電粒子ビームを照射できる最小ビームサイズ以下になる場合、或いは、露光データ寸法をゼロにしても前方散乱強度分布の半値幅が設計寸法に等しくならない場合のいずれかの場合に、露光データ寸法を前記最小ビームサイズに設定する。
請求項（抜粋）：
露光強度分布関数における前方散乱強度分布の半値幅が設計寸法に等しくなるように各パターンの図形変更を行って近接効果補正を行う荷電粒子ビーム露光方法において、図形変更の結果、露光データ寸法が荷電粒子ビーム露光装置が安定して荷電粒子ビームを照射できる最小ビームサイズ以下になる場合、或いは、露光データ寸法をゼロにしても前方散乱強度分布の半値幅が設計寸法に等しくならない場合のいずれかの場合に、露光データ寸法を前記最小ビームサイズに設定することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521
FI (3件)：
G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 541 M
Fターム (12件)：
2H097AA03 ,  2H097BB01 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F056AA04 ,  5F056AA06 ,  5F056CA13 ,  5F056CC12 ,  5F056CD03 ,  5F056CD07 ,  5F056FA07 ,  5F056FA08
引用特許：
審査官引用 (7件)
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