特許
J-GLOBAL ID：200903035838834667

パワー半導体デバイス用金属絶縁基板およびその製造方法

発明者：
山田 昭治

山田 昭治 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-360147
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183474
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】パワー回路に板厚の厚い導体を採用した場合でも高い放熱性を確保できるようにパワー半導体デバイス用の金属絶縁基板を改良する。【解決手段】金属ベース1の上に絶縁層2,およびパワー回路導体3を積層したパワー半導体デバイス用の金属絶縁基板において、前記パワー回路導体3を、その上面を露呈して絶縁層2に埋め込み積層して構成するものとし、その製造方法として金属ベース1の表面全域に絶縁層2をプリプレグ状態で積層した上で、前記絶縁層の上にパワー回路導体を重ね、次いで真空加圧プレスなどにより加圧力を加えて回路導体3を絶縁層3に埋め込むとともに、絶縁層2を硬化させて組立てる。
請求項（抜粋）：
金属ベースの上に絶縁層,およびパワー回路導体を積層したパワー半導体デバイス用の金属絶縁基板において、前記パワー回路導体を、その上面を露呈して絶縁層に埋め込み積層したことを特徴とするパワー半導体デバイス用金属絶縁基板。
IPC (2件)：
H05K 1/05 ,  H05K 3/44
FI (2件)：
H05K 1/05 Z ,  H05K 3/44 Z
Fターム (4件)：
5E315AA13 ,  5E315DD13 ,  5E315DD22 ,  5E315GG01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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