特許
J-GLOBAL ID：200903035855990788
高周波半導体素子用パッケージ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-077844
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270474
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【課題】キャビティを形成する壁体の厚みを小さくすることなく、壁体を貫通する伝送線路の壁体内での共振が発生せずに損失が小さく、かつ量産性に優れた高周波半導体素子用パッケ-ジを提供する。【解決手段】誘電体材料からなる絶縁基体1と、絶縁基体1と一体的に形成され高周波半導体素子4が収納されるキャビティ6を形成するための壁体2と、キャビティ6内に収納される高周波半導体素子4の電極と絶縁基体1に形成された外部端子7とを電気的に接続するために絶縁基体1表面にキャビティ6内から壁体2を貫通して形成された高周波伝送線路3と、この壁体2上にキャビティ内を気密封止するための蓋体5とを備えた高周波用半導体素子用パッケ-ジにおいて、前記高周波伝送線路を、Ag、CuおよびAuのうちの少なくとも1種により形成し、且つ壁体2を誘電率が7以下の誘電体材料によって形成する。
請求項（抜粋）：
誘電体材料からなる絶縁基体と、前記絶縁基体と一体的に形成され高周波半導体素子が収納されるキャビティを形成するための壁体と、前記キャビティ内に収納される高周波半導体素子の電極と前記絶縁基体に形成された外部端子とを電気的に接続するために前記絶縁基体表面に前記キャビティ内から前記壁体を貫通して形成された高周波伝送線路と、前記壁体上に前記キャビティ内を気密封止するための蓋体とを備えた高周波用半導体素子用パッケ-ジにおいて、前記高周波伝送線路を、Ag、CuおよびAuのうちの少なくとも1種により形成し、且つ前記壁体を誘電率が7以下の誘電体材料によって形成したことを特徴とする高周波半導体素子用パッケ-ジ。
引用特許：
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