半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野田茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046320
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243957
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】エレクトロマイグレーション現象が起こり難く、小型で、かつオン抵抗値の小さいMOSトランジスタを集積した半導体装置を実現する。【解決手段】 P型シリコン基板101上にN+埋め込み拡散層103およびN型エピタキシャル層102が形成され、N型エピタキシャル層102内には表面領域内のP型拡散層104とN+ドレイン引き出し拡散層106Aが形成されている。P型拡散層104内には、P+拡散層105、およびソース拡散層としてのN+拡散層107が形成されている。そして、N+ドレイン引き出し拡散層106Aは、イオンエネルギを変えて複数回イオン注入を行うことで、深さ方向の広い範囲で高濃度の不純物を含むように形成され、低抵抗値となっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1導電型の半導体層と、前記半導体層と前記半導体基板との間に形成され高濃度の前記第1導電型の不純物を含む埋め込み拡散層と、前記埋め込み拡散層の上方における前記半導体層の表面領域内に形成された第2導電型のベース拡散層と、前記ベース拡散層の表面領域内に形成された前記第1導電型のソース拡散層と、前記埋め込み拡散層の上方における前記半導体層に形成され、前記半導体層の表面から前記埋め込み拡散層に至る前記第1導電型の不純物を含むドレイン引き出し拡散層と、前記半導体層および前記ベース拡散層の表面に跨って延設されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、前記半導体層の上に第1の層間絶縁膜を介して形成され前記第1導電型のソース拡散層に電気的に接続された第1の金属配線と、前記第1の金属配線の上に第2の層間絶縁膜を介して形成され前記ドレイン引き出し拡散層に電気的に接続された第2の金属配線とを有するトランジスタにより構成された半導体装置であって、前記ドレイン引き出し拡散層は、表面から前記埋め込み拡散層に至る広い範囲で前記第1導電型の不純物を高濃度に含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 652 G , H01L 29/78 652 F , H01L 29/78 658 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-308504 出願人：日本電気株式会社, 日産自動車株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-071883 出願人：ローム株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-117049 出願人：株式会社東芝

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