多層レジスト法によるパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-233379
公開番号（公開出願番号）：特開2007-047580
出願日： 2005年08月11日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】ケイ素含有無機膜をレジスト中間層膜として使用する場合において、この膜をより薄くすることができ、かつ反射防止膜とケイ素含有無機膜のエッチング加工においてフォトレジスト膜への負荷を従来の方法よりも下げることのできるパターン形成方法を提供する。【解決手段】レジスト下層膜・第1のレジスト中間層膜・ケイ素樹脂を含有するケイ素樹脂膜である第2のレジスト中間層膜・レジスト上層膜を含む多層レジスト膜を形成し、該多層レジスト膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像してレジスト上層膜にレジストパターンを形成し、レジスト上層膜をマスクにして第1および第2のレジスト中間層膜をエッチングし、第1および第2のレジスト中間層膜をマスクにしてレジスト下層膜をエッチングし、さらに、レジスト下層膜をマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、有機材料を用いて有機材料膜を基板上に形成してレジスト下層膜とし、該レジスト下層膜の上にケイ素原子を含有する無機膜を形成して第1のレジスト中間層膜とし、該第1のレジスト中間層膜の上にケイ素樹脂を含有するケイ素樹脂膜を形成して第2のレジスト中間層膜とし、該第2のレジスト中間層膜の上にフォトレジスト膜を形成してレジスト上層膜とし、レジスト下層膜・第1のレジスト中間層膜・第2のレジスト中間層膜・レジスト上層膜を含む多層レジスト膜を形成し、該多層レジスト膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像してレジスト上層膜にレジストパターンを形成し、該パターンが形成されたレジスト上層膜をマスクにして第1および第2のレジスト中間層膜をエッチングし、少なくともパターンが形成された第1および第2のレジスト中間層膜をマスクにしてレジスト下層膜をエッチングし、さらに、少なくともパターンが形成されたレジスト下層膜をマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/11 , H01L 21/027 , G03F 7/26 , G03F 7/40 , G03F 7/039

FI (5件)：

G03F7/11 502 , H01L21/30 573 , G03F7/26 511 , G03F7/40 521 , G03F7/039 601

Fターム (22件)：

2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025DA13 , 2H025DA40 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA05 , 2H096GA08 , 2H096KA06 , 2H096KA08 , 2H096KA18 , 5F046NA06

引用特許：

出願人引用 (2件)

多層レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-327411 出願人：ソニー株式会社
加工用マスクの形成方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-318165 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (6件)

多層レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-327412 出願人：ソニー株式会社
多層レジスト法によるパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-211480 出願人：ソニー株式会社
特開平3-156915

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