フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-278933
公開番号（公開出願番号）：特開2005-128509
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【解決手段】フルオレン又はテトラヒドロスピロビインデン構造を有するノボラック樹脂を添加してなることを特徴とする下層膜形成材料。【効果】本発明の下層膜形成材料は、必要により反射防止効果のある中間層と組み合わせることによって、200nm以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、基板加工に用いられるCF4/CHF3ガス及びCl2/BCl3系ガスエッチングの速度も通常のm-クレゾールノボラック樹脂よりも強固であり、高いエッチング耐性を有する。また、パターニング後のレジスト形状も良好である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

フルオレン又はテトラヒドロスピロビインデン構造を有するノボラック樹脂を添加してなることを特徴とする下層膜形成材料。

IPC (3件)：

G03F7/11 , C08G10/00 , H01L21/027

FI (3件)：

G03F7/11 503 , C08G10/00 , H01L21/30 573

Fターム (20件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025DA34 , 2H025DA40 , 2H025FA41 , 4J033CA02 , 4J033CA11 , 4J033CA12 , 4J033CA22 , 4J033CA24 , 4J033CA29 , 4J033HA12 , 4J033HB10 , 5F046NA06

引用特許：

出願人引用 (14件)

米国特許第3536734号明細書
米国特許第6420088号明細書
高耐熱性放射線感応性レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-174578 出願人：クラリアントジャパン株式会社

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審査官引用 (6件)

ポジ型レジスト積層物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-331568 出願人：富士写真フイルム株式会社
高耐熱性放射線感応性レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-174578 出願人：クラリアントジャパン株式会社
ハレーション止め組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-328816 出願人：シツプリイ・カンパニイ・インコーポレイテツド

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