特許
J-GLOBAL ID：200903035872101504

薄膜素子アレイ及びその製造方法

発明者：
廣瀬 貴司

廣瀬 貴司 について

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坪井 伸行

坪井 伸行 について

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田村 達彦

田村 達彦 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-294407
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139501
出願日： 1995年11月13日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：
【要約】【課題】Alを含む積層構造のゲート電極であって、工程数を増加させることなく容易にゲート電極段差での断面形状を順テーパーに形成することを可能とし、もってゲート電極の低抵抗化とショート不良の低減が可能となる薄膜素子アレイを得る。【解決手段】透明な基板1の上に、Alを含む膜を含む少なくとも二層の導電膜21および22からなる積層配線と、前記積層配線間にあって前記積層配線の下層の導電膜を母材とした厚さ方向全体の電気絶縁体からなる透明絶縁膜23と、上層の導電膜の表面を被覆する前記上層の導電膜を母材とした電気絶縁体からなる絶縁膜24とを有する。
請求項（抜粋）：
透明な基板上に少なくとも二層の導電膜を備えた積層構造のゲート電極を有する薄膜素子アレイにおいて、上層の導電膜がAlを含む膜である積層配線と、前記積層配線間にあって前記積層配線の下層の導電膜を母材とした厚さ方向全体の電気絶縁体からなる透明絶縁膜と、前記積層配線の上層の導電膜の表面を被覆する前記上層の導電膜を母材とした電気絶縁体からなる絶縁膜とを有することを特徴とする薄膜素子アレイ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/133 550 ,  H01L 21/3205
FI (5件)：
H01L 29/78 617 L ,  G02F 1/133 550 ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 29/78 617 M
引用特許：
審査官引用 (3件)

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