特許
J-GLOBAL ID：200903035878971772

NANDフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法

発明者：
李 鎭旭

李 鎭旭 について

, 
張 ▲ピョン▼▲ムーン▼

張 ▲ピョン▼▲ムーン▼ について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-331824
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190444
出願日： 2005年11月16日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】本発明はNANDフラッシュメモリ装置及びそれのプログラム方法を提供する。【解決手段】本発明によるNANDフラッシュメモリ装置は複数個のビットラインに連結されるセルアレイと、前記セルアレイにプログラムされるデータを貯蔵するページバッファと、前記ページバッファに貯蔵されたデータに応じて複数個のビットラインを一定の単位で順にセットアップするビットラインセットアップ回路とを含む。本発明はプログラム動作時ビットラインセットアップ過程とページバッファに貯蔵されたデータをビットラインにローディングする過程ですべてのビットラインを同時にセットアップせず、一定の単位で順にセットアップする。本発明によると、ビットラインセットアップ過程及びビットラインにデータをローディングする過程で発生するカップリングキャパシタンスの影響を減らすことができ、プログラムのフェイル現象を防止することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
複数個のビットラインに連結されるセルアレイと、 前記複数個のビットラインを通じて前記セルアレイに連結され、前記セルアレイにプログラムされるデータを貯蔵するページバッファと、 前記ページバッファに貯蔵されたデータに応じて、前記複数個のビットラインを一定の単位で順にセットアップするビットラインセットアップ回路とを含むことを特徴とするNANDフラッシュメモリ装置。
IPC (3件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06
FI (4件)：
G11C17/00 601Q ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 634G ,  G11C17/00 634B
Fターム (10件)：
5B125BA02 ,  5B125CA15 ,  5B125CA20 ,  5B125DB01 ,  5B125EA05 ,  5B125EB01 ,  5B125ED07 ,  5B125ED10 ,  5B125EF10 ,  5B125FA02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 韓国特許出願公開第2001-56526号公報
審査官引用 (4件)
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