特許
J-GLOBAL ID：200903036178091263

不揮発性半導体記憶装置及びその動作方法

発明者：
亀田 靖

亀田 靖 について

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竹内 健

竹内 健 について

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志賀 仁

志賀 仁 について

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河合 鉱一

河合 鉱一 について

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二山 拓也

二山 拓也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ ,  堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-288449
公開番号（公開出願番号）：特開2006-107546
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 NAND型フラッシュメモリのブロックコピーの高速化を実現すること。【解決手段】 本発明の不揮発性半導体記憶装置は,ビット線の電位を維持,固定する回路を有しており,偶数ビット線又は奇数ビット線の何れか一方に当該回路が接続されている。偶数ビット線にビット線電位固定回路が接続されている場合,ブロックコピーを行う際に,まず偶数ビット線にデータを出力し,偶数ビット線の電位が確定したところでビット線電位固定回路を動作させる。その後,偶数ビット線の電位をビット線電位固定回路からバイアスし,ビット線の電位を維持,固定すると同時に,奇数ビット線にデータを出力し,奇数ビット線の電位を確定する。続いて,選択ワード線に書き込み電圧を印加し,偶数ビット線に接続されているメモリセルと奇数ビット線に接続されているメモリセルとに同時にデータの書き込み(プログラム)を行う。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第1のビット線及び前記第1のビット線に隣接する第2のビット線にデータをロードする回路と, 前記第1のビット線の電位を固定する回路と, を有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/02
FI (5件)：
G11C17/00 634B ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 634G ,  G11C17/00 611G ,  G11C17/00 611A
Fターム (11件)：
5B125BA01 ,  5B125CA01 ,  5B125DB08 ,  5B125DE14 ,  5B125EA05 ,  5B125ED02 ,  5B125ED04 ,  5B125ED07 ,  5B125ED09 ,  5B125EF02 ,  5B125FA01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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