特許

J-GLOBAL ID：200903035885809824

高周波スイッチ回路及びそれを用いた半導体装置

発明者： 中塚 忠良 ,  片岡 茂
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-166976
公開番号（公開出願番号）：特開2005-348206
出願日： 2004年06月04日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】挿入損失及びチップサイズの増大を生じることなく、さらに大電力入力が可能な高周波スイッチ回路を実現できるようにする。【解決手段】第1の入出力端子401と第3の入出力端子403との間に設けられた第1の基本スイッチ部601と、第2の入出力端子402と第3の入出力端子403との間に設けられた第2の基本スイッチ部602とを備えた高周波スイッチ回路において、基本スイッチ部601及び基本スイッチ部602は、それぞれ順に直列に接続された4個のFETからなり、各基本スイッチ部の両端に位置するFET101及びFET104並びにFET105及びFET108は、中間のFET102及びFET103並びにFET106及びFET107と比べてしきい値電圧が高い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

高周波信号を入出力する複数の入出力端子と、 前記各入出力端子の間に設けられた複数の基本スイッチ部とを備えた高周波スイッチ回路であって、 前記各基本スイッチ部は、直列に接続された3個以上の電界効果トランジスタからなり、 前記直列に接続された電界効果トランジスタのうち両端に位置する2個の電界効果トランジスタは、前記両端に位置する2個の電界効果トランジスタを除く前記電界効果トランジスタと比べてしきい値電圧が高いことを特徴とする高周波スイッチ回路。

IPC (3件)：

H03K17/693 ,  H01P1/15 ,  H03K17/10

FI (3件)：

H03K17/693 A ,  H01P1/15 ,  H03K17/10

Fターム (22件)：

5J012BA03 ,  5J055AX00 ,  5J055AX07 ,  5J055BX03 ,  5J055BX04 ,  5J055CX03 ,  5J055CX24 ,  5J055DX22 ,  5J055DX61 ,  5J055DX72 ,  5J055DX83 ,  5J055EX02 ,  5J055EY01 ,  5J055EY10 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ12 ,  5J055FX18 ,  5J055FX37 ,  5J055GX01 ,  5J055GX06 ,  5J055GX07 ,  5J055GX08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 高周波スイッチ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-025558   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (3件)

• 高周波回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-298493   出願人：ソニー株式会社
• 低歪スイッチ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-203190   出願人：株式会社日立製作所
• スイッチ回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-026650   出願人：三洋電機株式会社