半導体集積回路

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：須藤克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-078601
公開番号（公開出願番号）：特開2008-243896
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】最小限のコストで電源抵抗の抵抗値とデカップリング容量の容量値を変更することを可能にした半導体集積回路を提供する。【解決手段】図6(A)の構造において、ポリシリコン層PLの左端上、右端上、中間点上に、ポリシリコン層PLと接触した3層のメタル積層部がそれぞれ形成される。ポリシリコン層PLの中間点上のメタル積層部の第3メタル層M3上にビアコンタクト部が形成され、第4メタル層からなる電源線9がこのビアコンタクト部に接して形成される。これにより、ポリシリコン層PLのほぼ半分が電源抵抗Rとして電源線9に挿入される。図6(B)の構造において、ポリシリコン層PLの左端上のメタル積層部の第3メタル層M3上にビアコンタクト部が形成され、その上に第4メタル層からなる電源線9がビアコンタクト部に接して形成される。これにより、ポリシリコン層PLのほぼ全部が電源抵抗Rとして電源線9に挿入される。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

電源線と、前記電源線から電源電位の供給を受ける回路と、前記電源線に挿入された電源抵抗とを備え、前記電源線は前記電源抵抗上に形成され、前記電源抵抗と前記電源線とを接続するビアコンタクトの位置をビア形成用のマスクにより変更することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (3件)：

H01L27/04 H , H01L27/04 V , H01L27/04 C

Fターム (13件)：

5F038AC00 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AR09 , 5F038AR16 , 5F038AV00 , 5F038AV12 , 5F038BB06 , 5F038BH02 , 5F038BH03 , 5F038BH19 , 5F038CD02 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-212654 出願人：株式会社日立製作所, エルピーダメモリ株式会社
集積回路の抵抗体の抵抗値を調整する構造および方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-277008 出願人：アギアシステムズインコーポレーテッド
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-226534 出願人：三菱電機株式会社

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