アッシング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186028
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009050
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】有機系低誘電体膜がレジスト膜の下層として存在する場合でも、有機系低誘電体膜の劣化を招くことなく、しかも処理速度を低下させずにレジスト膜をアッシングする。【解決手段】有機系低誘電体膜とその上層として形成されたレジスト膜とを有する被処理基板Wに対してアッシング処理を施すためのアッシング方法である。高周波電源4を有するバイアス装置5によってプロセスガスに高周波電界を印加してイオンを生成し、被処理基板Wに向けて加速されたイオンによってレジスト膜に対して異方性プラズマイオンアッシングを施す第1工程と、第1工程の後、マイクロ波電源13を有するプラズマ発生装置7によってプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを生成し、このプラズマによってレジスト膜に対してアッシングを施す第2工程と、を備える。

請求項（抜粋）：

有機系低誘電体膜とその上層として形成されたレジスト膜とを有する被処理基板に対してアッシング処理を施すためのアッシング方法において、高周波電源を有するバイアス装置によってプロセスガスに高周波電界を印加してイオンを生成し、前記被処理基板に向けて加速された前記イオンによって前記レジスト膜に対して異方性プラズマイオンアッシングを施す第1工程と、前記第1工程の後、マイクロ波電源を有するプラズマ発生装置によってプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを生成し、このプラズマによって前記レジスト膜に対してアッシングを施す第2工程と、を備えたことを特徴とするアッシング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , G03F 7/40 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/40 , H01L 21/302 H , H01L 21/30 572 A

Fターム (17件)：

2H096AA25 , 2H096CA05 , 2H096LA07 , 2H096LA08 , 2H096LA09 , 5F004AA06 , 5F004BA04 , 5F004BA20 , 5F004BB14 , 5F004BD01 , 5F004CA03 , 5F004DA00 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB26 , 5F046MA12

引用特許：

審査官引用 (3件)

レジストマスクの除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-232018 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-229403 出願人：ソニー株式会社
有機層間絶縁膜エッチング後のレジストアッシング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-356377 出願人：キヤノン株式会社

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