特許
J-GLOBAL ID：200903036100686155
不揮発性半導体記憶装置および不揮発性メモリセル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-128635
公開番号（公開出願番号）：特開2008-252112
出願日： 2008年05月15日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】相変化メモリのメモリセルサイズを低減する。【解決手段】結晶状態により抵抗値が変化するカルコゲナイド膜(36)とビット線を構成する導電層(32)の間およびヒータ(37)と書込電流駆動用のバイポーラトランジスタのエミッタ不純物領域(44)との間に熱伝播ブロック層(35,38)を設ける。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
記憶データに従って結晶状態が変化する相変化素子と、
前記相変化素子に結合されて、前記相変化素子を加熱する加熱素子と、
前記加熱素子と半導体基板領域との間および前記相変化素子とデータ転送線との間の少なくとも一方の領域に形成され、前記加熱素子からの熱が伝播するのを抑制する熱阻止層を備える、不揮発性メモリセル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 448
, G11C13/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083JA37
, 5F083JA60
, 5F083KA02
, 5F083KA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083PR21
, 5F083PR40
, 5F083ZA28
