特許
J-GLOBAL ID：200903036112065849
電子部品、電子部品の実装構造および電子部品の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-185995
公開番号（公開出願番号）：特開2007-043144
出願日： 2006年07月05日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】高温・高湿条件下においても、絶縁抵抗が低下することがなく、かつ、外部電極のはんだ付き性にも優れた、信頼性の高い電子部品、その実装構造、および電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】電子部品本体1と、電子部品本体の表面に形成された外部電極5a,5bとを備えた電子部品において、外部電極を、金属を含む下地電極層6a,6bと、下地電極層上に形成された合金層17a,17bと、合金層上に形成されたNiめっき層7a,7bと、Niめっき層上に形成されたNi酸化層27a,27bと、その上に形成された上層側めっき層8a、8bとを具備し、Ni酸化層の厚みが150nm以下であり、かつ、Niめっき層を構成するNi粒子の平均粒径が2μm以上である構成とする。 粒界の減少したNiめっき層を形成するにあたっては、酸素濃度100ppm以下の還元雰囲気にて、500〜900°Cの条件で熱処理を行う。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
電子部品本体と、前記電子部品本体の表面に形成された外部電極とを備えた電子部品であって、前記外部電極が、
金属を含む下地電極層と、
前記下地電極層上に形成され、前記下地電極に含まれる前記金属とNiとからなる合金を含む合金層と、
前記合金層上に形成されたNiめっき層と、
前記Niめっき層上に形成されたNi酸化層と、
前記Ni酸化層上に形成された上層側めっき層と
を具備し、
前記Ni酸化層の厚みが150nm以下であり、かつ、
前記Niめっき層を構成するNi粒子の平均粒径が2μm以上であること
を特徴とする、電子部品。
IPC (4件)：
H01G 4/228
, H01G 13/00
, H01G 4/12
, H01G 4/30
H01G1/14 F
, H01G13/00 391B
, H01G4/12 352
, H01G4/30 301B
5E001AB03
, 5E001AF02
, 5E001AH01
, 5E001AH07
, 5E001AH09
, 5E001AJ03
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082GG10
, 5E082GG11
, 5E082GG28
, 5E082LL01
, 5E082MM24
, 5E082PP06
, 5E082PP07
, 5E082PP09
