特許
J-GLOBAL ID：200903036118976770
炭化ケイ素単結晶及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-158938
公開番号（公開出願番号）：特開2003-073194
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：
【要約】【課題】 p型半導体等として好適に使用可能な炭化ケイ素単結晶及びその効率的な製造方法の提供。【解決手段】 窒素含有量が100質量ppm以下である炭化ケイ素粉末を昇華させてから再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法である。該炭化ケイ素粉末が、ケイ素源とキシレン系樹脂とを少なくとも含有する混合物を焼成して得られる態様、該混合物が、ケイ素源に酸を添加した後、キシレン系樹脂を添加して得られる態様などが好ましい。前記炭化ケイ素単結晶の製造方法により製造される炭化ケイ素単結晶である。非破壊で光学的に画像検出した中空パイプ状の結晶欠陥が100個/cm2以下である態様、体積抵抗値が1×101Ω・cm以下である態様、窒素含有量が0.01質量ppm以下である態様などが好ましい。
請求項（抜粋）：
窒素含有量が100質量ppm以下であり、元素周期律表における13族元素を除く不純物元素の各含有量が0.1質量ppm以下であり、かつ元素周期律表における13族元素の総含有量が窒素含有量(原子ppm)以上である炭化ケイ素粉末を昇華させてから再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。
Fターム (12件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077DA19
, 4G077EA02
, 4G077EB06
, 4G077EC02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077SA04
, 4G077SA07
