特許
J-GLOBAL ID：200903036130531598

Krを含有するシリコン酸化膜を内蔵する半導体装置とシリコン酸化膜の形成方法

発明者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について


出願人/特許権者：
大見 忠弘

大見 忠弘 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-375973
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102581
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】本発明は、基板表面に、均一な高品質シリコン酸化膜を、基板温度200-500度の低温で形成すること。および、シリコン酸化膜を用いた半導体装置を提供し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さ30%以内におさえ、デバイスの信頼性を向上することを目的とする。【解決手段】本発明のシリコン酸化膜は、シリコン酸化膜中にKrを含有することを特徴とする。シリコン酸化膜中にKrを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン/シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにもかかわらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を30%以内にする事を特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコンを基体とするトランジスタを複数個含む半導体装置において、前記シリコンの表面に形成されたシリコン酸化膜の少なくとも一部がKrを内蔵するシリコン酸化膜であることを特徴とする半導体装置
IPC (7件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H05H 1/46
FI (7件)：
H01L 21/316 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 619 A
Fターム (62件)：
5F040DA00 ,  5F040DA05 ,  5F040DB01 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EB12 ,  5F040EB17 ,  5F040ED03 ,  5F040ED06 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AA08 ,  5F048AC01 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BE08 ,  5F048BG07 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF54 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA17 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN26 ,  5F110NN62 ,  5F110NN72
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM